Dünyanın önde gelen bellek üreticilerinden biri olan Samsung, 14nm teknolojisi ile ürettiği DDR5 DRAM’i seri üretime geçirdiğini açıkladı.
AMD RX 6600, 3DMark testine girdi ve sonuçları Twitter'da sızdırıldı. Burada gösterdiği performans hayal kırıklığı yarattı. İşte sonuçlar...
Samsung, 14nm DDR5 DRAM ile yüzde 20 güç tasarrufu sağlıyor
Yeni nesil DDR5 DRAM’leri aşırı ultraviyole (EUV) litografi ile ürettiğini açıklayan şirket, bir önceki nesle kıyasla performansın yüzde 20 arttığının altını çizdi. Ayrıca şirket, çip başına güç tüketiminin de önceki nesle kıyasla yüzde 20 arttığını belirtti.
En büyük bellek yongası üreticisi olan Samsung, Mart 2020’de ilk kez DRAM üretiminde 5 katmana EUV uyguladığını açıkladı. Bellek piyasasındaki liderliğini korumak isteyen firma, daha fazla DRAM katmanına UEV uygulayacağını duyurdu.
Mart 2021’de 16 GB yongalar ile 512 GB kapasiteli DDR5 DRAM modülü geliştirdiğini açıklayan şirket, verimlilik için 24 GB yongaya sahip modül sunacağını belirtti.
Samsung Electronics Kıdemli Başkan Yardımcısı ve DRAM Ürün ve Teknoloji Başkanı Jooyoung Lee, “Bugün Samsung, 14nm’de aşırı küçültmeyi mümkün kılan çok katmanlı EUV ile başka bir teknoloji kilometre taşını devirdi. Yaptığımız işlemi geleneksel argon florür (ArF) ile gerçekleştirmek mümkün değil. 5G, yapay zeka ve big data dünyasında daha fazla performans ihtiyacını ele alarak farklı bellek çözümleri sunmaya devam edeceğiz.” dedi.
