Intel, Moore Yasasının izinden kararlı bir şekilde gitmeye devam ediyor. Şirket, önümüzdeki on yılda bilgi işlemi ilerletme ve hızlandırma konularında kilit rol oynayan paketleme, transistör ve kuantum fiziği atılımlarını açıkladı.
IEEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı (IEDM) aracılığıyla konuşan Intel, 2021 yılında hibrit bağlamayla 10 kattan fazla yoğunluk iyileştirmesi, transistör ölçeklendirmede yüzde 30 ila yüzde 50 alan iyileştirmesi, yeni güç ve bellek teknolojilerinde büyük atılımlar ve bilgi işlemde fark yaratabilecek yeni fizik kavramlarına giden yolu ana hatlarıyla duyurdu.
Infinix, 14 inç ekran boyutuna ve M.2 SSD depolamaya sahip 10. nesil Intel işlemcili INBook X1 serisini tanıttı.
Intel, Moore Yasasını sürdürmeye devam edecek
Intel Kıdemli Üyesi ve Bileşenler Araştırma Genel Müdürü Robert Chau, şirketin, Moore Yasasının geçerliliğini sürdürmek için yaptığı çalışmaları şöyle özetledi:
“Intel’de, Moore Yasasının geçerliliğini sürdürmek için gereken araştırmalar ve inovasyonlar hız kesmeksizin devam ediyor. Bileşenler Araştırma Grubumuz, endüstrimiz ve toplum için hayati önem taşıyan güçlü bilgi işleme yönelik doyumsuz talebi karşılamak için devrim niteliğinde prosesler ve paketleme teknolojilerini hayata geçirecek kilit araştırma atılımlarını IEDM 2021’de paylaşıyor. Bu, en iyi bilim insanlarımız ve mühendislerimizin bitmek tükenmek bilmeyen çalışmasının sonucu. Moore Yasasını sürdürmek için inovasyonların ön saflarında yer almaya devam ediyorlar.”
Moore Yasası neden önemli?
Ana bilgisayarlardan cep telefonlarına kadar her teknolojinin ihtiyaçlarını karşılayan bilgi işlem inovasyonları, Moore Yasasını takip etti. Bu kurallar, sınırsız veri ve yapay zekayla yeni bir bilgi işlem çağına girmekte olduğumuz günümüzde de geçerliliğini koruyor.
Moore Yasasının geçerliliğini sürdürmesinin temel taşı, sürekli inovasyon… Şirketin Bileşenler Araştırma Grubu, üç kilit alanda inovasyona kendini adadı. Bunlar şöyle:
- Daha fazla transistor sağlamak için elzem ölçeklendirme teknolojileri
- Güç ve bellek kazançları için yeni silicon yetenekleri
- Bilgi işlemin mevcut işleyişinde devrim yaratacack yeni fizik kavramlarının keşfi.
Intel ne yapmayı planlıyor?
IEDM 2021’de açıklanan atılımlara göre Intel, Moore Yasasının geçerliliğini ve faydalarını 2025 yılına kadar sürdürme yolunda olduğunu gösterdi. Peki ya bunu nasıl başaracaklar? Bileşenler Araştırma Grubu, şirket için yarı iletken süreci araştırmasının ön safhalarında yer alıyor ve IEDM’de değinilen üç temel alana odaklanıyor.
Intel, gelecek ürünlerinde daha fazla transistör sunmak için elzem ölçeklendirme teknolojilerinde önemli araştırmalar yürütüyor:
- Şirketin araştırmacıları, hibrit ara bağlantının tasarım, proses ve montaj güçlüklerine yönelik çözümleri ana hatlarıyla açıkladı ve paketlemede 10 kattan fazla bağlantı yoğunluğu iyileştirmesini öngördü. Temmuz ayındaki Intel Accelerated etkinliğinde, Intel 10 mikron altı “bump pitch”lere olanak tanıyan ve 3D istifleme için ara bağlantı yoğunluğunda bir büyüklük artışı sağlayan Foveros Direct’i tanıtma planlarını duyurmuştu. Ekosistemin ileri paketlemeden yararlanabilmesi için, Intel hibrit bağlama chiplet ekosistemini etkinleştirmeye ilişkin yeni endüstri standartları ve test prosedürlerinin belirlenmesi için de çağrıda bulunuyor.
- Gate-all-around RibbonFET’ini aşmayı hedefleyen Intel, her milimetrekareye daha fazla transistör sığdırarak Moore Yasasının ilerlemesinin sürmesi için, azami seviyede yüzde 30 ila yüzde 50 mantık ölçeklendirme iyileştirmesine ulaşmak amacıyla çoklu (CMOS) transistörleri istifleme yaklaşımıyla önümüzdeki FinFET sonrası çağın hâkimi olacak.
- Bunun yanında Intel, yalnızca birkaç atom kalınlığındaki yeni malzemelerin konvansiyonel silikon kanalların sınırlamalarını aşan transistörleri yapmak için nasıl kullanılabileceğini gösteren ileriye dönük araştırmalarla Moore Yasasının Angstrom çağına doğru ilerlemesine giden yolun taşlarını döşüyor ve önümüzdeki on yılda daha da güçlü bilgi işlem için her kırmık (die) alanı için milyonlarca transistöre olanak sağlıyor.
Intel, silikona yeni yetenekler katıyor:
- GaN tabanlı güç anahtarlarının silikon tabanlı CMOS’a 300 mm’lik bir plaka üzerinde dünyada ilk kez entegre edilmesinin getirdiği daha verimli güç ve bellek teknolojileri. Bu, CPU’lara düşük kayıp ve yüksek hızla güç sağlamak için zemin hazırlarken, anakartın bileşenlerini ve kapladığı alanı da azaltıyor.
- Başka bir gelişme de, oyundan yapay zekâya kadar bilgi işlem uygulamalarının giderek artan karmaşıklığının üstesinden gelmek için daha fazla bellek kaynağı sağlayabilen olası yeni nesil gömülü DRAM teknolojisi için yeni ferroelektrik malzemeler kullanan, Intel’in endüstri lideri, düşük gecikmeli okuma/yazma yetenekleri.
Intel, silikon transistör tabanlı kuantum bilgi işlemle ileri bir performansa ulaşmanın ve de oda sıcaklığındaki yeni cihazlarla büyük bir enerji verimliliği sağlayan bilgi işlem için yepyeni anahtarların peşinde. Bunlar, gelecekte tamamen yeni fizik kavramlarını kullanarak klasik MOSFET transistörlerin yerini alabilir.
- Intel, IEDM 2021’de oda sıcaklığındaki bir manyetoelektrik dönü-yörünge (MESO) mantık cihazını deneysel olarak dünyada ilk kez göstererek, nano ölçekli mıknatıslara dayalı yeni bir transistörün üretilmesinin mümkün olduğunu kanıtlamış oldu.
- Intel ve IMEC, cihaz entegrasyonu araştırmalarını tamamen fonksiyonel bir spin-tork cihaz yaratmaya yaklaştırmak için spintronik malzemelere ilişkin araştırmalarında ilerleme kaydediyor.
- Intel, CMOS üretimine benzeyen ve gelecek araştırmalar için sonraki adımları belirleyen ölçeklendirilebilir kuantum bilgi işlemin gerçekleşmesi için tam 300 mm kübit proses akışlarını da sergiledi.
Fırsat Ürünleri
