Samsung Electronics tarafından geliştirilen yeni 1 gigabit (Gb) DRAM, performans
ve veri depolama kapasitesini büyük oranda geliştiren üç boyutlu transistör
tasarımı ve çok katmanlı dielektrik teknolojisi gibi ileri teknolojileri bir
araya getiriyor. Ürün verimliliğine çözüm olarak yeni geliştirilen 50 nm teknolojisinin temelinde,
SEG Tr olarak adlandırılan transistörler yer alıyor.

İlk 50 nm DRAM çip

Teknolojisinin sırları
Üç boyutlu transistörün,
bir yandan güç tüketimini azaltırken diğer yandan da performansın en üst düzeye
çıkmasını sağlamak için her bir çipin elektronlarının hızını ayarlayan daha
geniş elektron kanalları bulunuyor.

Bellek devreleri sürekli olarak küçülürken, ince hücrelerdeki sınırlı alanların
kapsamının giderek artması, yeterli miktarda elektronun güvenliğini ve sürekliliğini
daha da zor hale getiriyor.

SEG transistörü, 50 nm tasarımının sağladığı ilerlemelere
ek olarak, zayıf elektriksel özellikleri kararlı hale getiren çok katmanlı dielektrik
katmanları (ZrO2/Al2O3/ZrO2) kullanıyor. Daha fazla elektron tutarak depolama
kapasitesini yükselten yeni dieletrik katman, veri depolamada güvenilirliği
de artırıyor.

Benzeri yok
Samsung’un 2003 VLSI sempozyumunda en iyi çalışma ödülünü alan temel üç boyutlu
transistor teknolojisi RCAT (Recess Channel Array Transistor) de 50 nm DRAM’le
daha iyi çalışabilecek biçimde uyarlandı.

DRAM’ın yenilenme süresinin verimini
ikiye katlayan RCAT, DRAM’lerde çip boyutu ne olursa olsun yüksek ölçeklenebilirlik
olanağı sağladığından, devrelerin 50 nms’nin ötesine geçmesini destekleyen kritik
bir teknoloji.

1 Gb 50 nm çip, şimdiye kadarki en gelişmiş seri üretim DRAM seviyesine ulaşarak,
DRAM teknolojisinin üç neslini (70 nm, 60 nm, 50 nm) bir araya getiriyor. Samsung’un yeni 50 nm işlem teknolojisi, grafik ve cep telefonu DRAM çiplerini de kapsayan
geniş bir kullanım alanına sahip.

Bilgi için: Samsung Türkiye
SDN – http://shiftdelete.net