Electronic Times haberine göre Intel ve TSMC ürünlerinin hala 14nm ve 16nm teknolojileriyle üretilmesi, Samsung’un 10nm FinFET S-RAM gücünü bir hayli ön plana çıkaracak.
Samsung 10nm teknolojili S-RAM’lerin 2017 yılının başlarına doğru çoktan üretilmiş olması hedefleniyor. Plan ise 10nm teknolojinin Gigabyte yongalar birleştirilip daha hızlı bir set yapılması.
Samsung, S-RAM ile hızlanacak
Statik RAM anlamındaki S-RAM, D-RAM’e (Dinamik RAM) kıyasla daha hızlı çalışmakta. D-RAM bellekler veriyi hafızada tutabilmek için enerjiye ihtiyaç duyar. Yani sürekli akımlarla ve belli aralıklarla yenilenme gerçekleşir. İsmindeki dinamikliği ise buradan gelir. Statik RAM bu yenilemeye gerek duymadığından daha hızlı ve güvenli veri dosyalamaya imkan sağlar. Ancak pahalı bir teknoloji olmasından ötürü sadece önbellek olarak kullanılırlar.
Intel yeni jenerasyon 10nm sistem yarı iletkenlerini yüksek maliyet sebebiyle 2016 yılından 2017 yılına ertelemek zorunda kalmış. Samsung ve TSMC firmaları bu konuda ertelemeye gitme gibi bir lükse pek sahip değiller. Genel olarak 10nm teknolojisi geliştirmeye odaklanmış iki firma da Apple için işlemci üretiminde büyük yarışa girmiş durumdalar.
:: Samsung’un da 10nm teknolojisine geçmesi planları hakkında ne düşünüyorsunuz?
{{user}} {{datetime}}
{{text}}