Teknoloji Haberleri - ShiftDelete.Net
Reklam
Reklam

Samsung ve IBM, telefonların şarj sorununu çözecek!

Ana sayfa / Donanım

Samsung ve IBM, işbirliklerinin ardından teknoloji dünyasına ilk ürünlerini sunmaya hazırlanıyorlar. Yeni bir işlemci üzerine çalışan iki teknoloji devi, önemli ölçüde mesafe kat etti. Yarı iletkenlerin kullanım şeklini değiştirmesi planlanan yenilik, akıllı telefon dünyasındaki önemli bir sorunun da üstesinden gelebilir.

İlk gelen bilgilere göre geliştirmeler bu şekilde devam ederse, kullanıcılar akıllı telefonlarını şarj etme konusunda dertlenmeyecek. İki firmanın da oldukça iddialı olduğu gözlemlendi.

OPPO ilk mobil işlemcisi MariSilicon X’i tanıttı!

OPPO, kendi tasarladığı ilk NPU (Neural Processing Unit / Nöral İşlem Birimi) olan MariSilicon X'i resmi olarak duyurdu.

Reklam
Reklam

Samsung ve IBM yarı iletken konusunda iddialı

Geliştirme sürecinin devam ettiği öğrenilirken, firmaların teknoloji dünyasındaki önemli problemlerden birini giderebileceği aktarıldı. Özellikle akıllı telefon kullanıcılarının yaşadıkları şarj sorunları, yeni yarı iletkenler yardımıyla tamamen giderilebilir. Transistör dizilimini değiştirmeyi deneyen Samsung ve IBM, konuyla alakalı bir de YouTube üzerinden video paylaştı.

Sistemin ne olduğunu açıklayan videoda, yeni işlemcilerin dizilimi de ilk kez gösterildi. Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistör (VTFET) tasarımı, günümüzün en gelişmiş yongalarından bazıları için kullanılan mevcut FinFET teknolojisine ulaşmayı amaçlıyor. Yepyeni bir tasarım olan bu teknoloji ile transistörler, dikey bir şekilde istiflenecek. Çoğu işlemci tasarımında yer alan yan yana dizilim yerine, dikey kullanım, akımın da aynı şekilde ilerlemesini sağlayacak.

Enerji kullanımını minimuma indirmesi planlanan yeni tasarımın, etkileri de oldukça geniş. Zira Samsung ve IBM, haftalarca dayanan akıllı telefon bataryalarının, daha az enerji tüketen kripto para madenciliğinin veya güvenli veri şifrelenmesinin ancak bu teknolojiyle mümkün olacağını belirtiyor. Geçtiğimiz dönemlerde 2 nm‘lik işlemci tanıtan IBM, FinFET tasarımını kullanıyordu. Ancak gelinen noktada işler VTFET teknolojisine de dönebilir.

Henüz son kullanıcıya ulaşmasına uzun süre olan yeni işlemci tasarımı, teknoloji dünyasında çok fazla şeyi değiştireceğe benziyor. Ayrıca Intel cephesinin de benzer bir atılım ile rekabeti kızıştırma ihtimali söz konusu. Bakalım yarı iletken piyasası, ne tür yeniliklerle kullanıcıları karşılayacak, bekleyip göreceğiz.

Sizler Samsung ve IBM‘in son tasarımını nasıl buldunuz? Sizce akıllı telefon dünyasında batarya sorunu bu şekilde çözülebilir mi? Görüşlerinizi ve tahminlerinizi bizlere aktarmayı unutmayın.

Reklam
Reklam

Yorum Ekleyin


Reklam
Reklam