Mobil ve masaüstü işlemcileri konusunda her geçen gün daha fazla ilerleme kaydeden şirketler geliştirdikleri teknolojiler ile fizik kurallarına meydan okumaya devam ediyor. TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündeme geldi.
TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündemde
MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) sayesinde transistör üretiminde 3nm seviyesine kadar inmeyi başaran şirketler, yeni geliştirilen teknoloji sayesinde daha iyi sonuçlar elde etti. GizChina, TMSC tarafından yapılan çalışmalar sonucunda 2nm ile birlikte enerji verimliliğini büyük ortanda artırıldığını açıkladı.
İlk kez FinFET olmayan düğümler ile oluşturulan sistemin, 2023 yılının ikinci yarısında seri üretim için hazır olacağı düşünülüyor. 5nm ve 3nm teknolojilerinden farklı olarak MBCFET benzeri bir tasarım kullanacak olan TMSC, geliştirilen teknoloji sayesinde transistörlerin performanslarını büyük ölçüde artıracak.
MBCFET transistörler, güç kaybını azaltmak ve verimliliği artırmak için GAAFET (Gate All Around) tasarım anlayışı ile üretilmektedir. Samsung ve Intel bir süre önce yeni işlemcilerini MBCFET teknolojisi ile üreteceğini açıklamıştı.
Analistler MBCFET ile birlikte üretilen işlemcilerin batarya performansı konusunda beklenenden daha iyi sonuçlar elde edileceğini düşünüyor. 2024 veya 2025 yılında hayatımıza girecek olan 2nm işlemciler ile ilgili ne düşünüyorsunuz? Düşüncelerinizi yorumlarda belirtebilirsiniz.
{{user}} {{datetime}}
{{text}}