Reklam
Japonya merkezli Elpida Memory adlı şirket dünyanın en küçük 2 Gb DDR mobil DRAM yongasını geliştirdiğini iddia etti.
40 nm süreci ile üretilen yonganın boyutunun 50 mm2′den az olduğu ve akıllı telefonlarda bulunan bellek miktarını büyük ölçüde artıracağı belirtiliyor. (20 nm’lik NAND bellek yongası)
Reklam
Yeni yongaların akıllı telefonlardaki RAM’i artıracağı belirtiliyor
Önümüzdeki ay piyasada
Elpida’nın 40 nm’lik DDR DRAM yongası 400 MHz’de çalışıyor ve 1.2 V ile 1.8 V arasında voltaj değerine sahip.
Yeni bellek yongalarının önümüzdeki ay içinde piyasada olması bekleniyor.
