Huawei’nin yalnızca DUV litografi ekipmanlarını kullanarak 2 nm sınıfı üretime ulaşmayı tanımlayan yeni patent başvurusu, şirketin yaptırımlar altında gelişmiş çip üretimini sürdürme kararlılığını açık biçimde ortaya koyuyor.
Huawei yeni çip patenti aldı
EUV makinelerine yönelik kapsamlı ihracat kısıtlamaları nedeniyle ASML’nin gelişmiş sistemlerine erişemeyen Huawei, buna rağmen üretim ortağı SMIC ile birlikte mevcut altyapının sınırlarını zorlayan bir üretim yolu tarif ediyor. Patent, 2022’de sunulmasına rağmen yakın zamanda kamuya açıklanarak yarı iletken araştırmacısı Dr. Frederick Chen tarafından fark edildi.
Belgede, Huawei ve SMIC’in 21 nm metal aralığına ulaşmasını sağlayabilecek gelişmiş bir çoklu desenleme tekniği anlatılıyor. Bu boyut, TSMC ve Samsung’un EUV tabanlı 2 nm sınıfı süreçleriyle aynı seviyeye denk geliyor.
Huawei’nin yaklaşımının temelini optimize edilmiş bir “Kendinden Hizalamalı Dört Katmanlı Desenleme” süreci oluşturuyor. Sektörde benzer teknikler çok daha fazla pozlama gerektirirken bu yöntemin DUV pozlama sayısını dörde kadar indirdiği belirtiliyor.
Bu sadeleştirilmiş yapı, agresif bir desenleme sürecini mümkün kılarken aynı zamanda DUV altyapısının kapasitesini en uç noktaya taşıyor. Şirket, bu yöntemle SMIC’in Kirin 9030’da kullanılan N+3 sürecinden doğrudan 2 nm nesline sıçramayı ve bunu EUV araçlarına ihtiyaç duymadan gerçekleştirmeyi planlıyor.
https://shiftdelete.net/iphone-17e-tasarimi-ile-centik-tarih-oluyor
Buna karşın sektör uzmanları süreci ticari açıdan temkinli değerlendiriyor. Laboratuvar ortamında uygulanabilir olsa da bu kadar yoğun çoklu desenleme, verimi düşürmesi, hata riskini artırması ve maliyetleri yükseltmesiyle biliniyor.
Bu nedenle önde gelen üreticiler 3 nm ve altındaki süreçlerde uzun süredir tek pozlama EUV’ye geçmiş durumda. Yine de Huawei’nin SAQP tabanlı üretiminin yüksek hacimli üretime ulaşması durumunda, bu yöntem yaptırımlar karşısında önemli bir teknolojik hamle niteliği taşıyacak.
Patent, şirketin bu alandaki ısrarını ve Çin’in kendi yarı iletken ekosisteminde dışa bağımlılığı azaltma hedefi doğrultusunda mevcut litografi teknolojilerini ne kadar zorlamaya hazır olduğunu gösteriyor.
