Samsung, mevcut fotolitografi ekipmanlarını kullanan 20 nm teknolojili DDR3 bellekler ve 10 nm teknolojili DRAM belleklerinin üretiminin önünü açan yeni bir teknik ile karşımıza çıktı.
Samsung, mevcut ArF litografi teknolojisini kullanarak DRAM ölçeklemesinde sınırları zorlayarak endüstrinin en gelişmiş 20 nm 4 gigabit DDR3 DRAM’lerini yarattı.
DRAM bellekte her hücre birbirine bağlı bir kapasitör ve bir transistör içerir, bu yüzden bir hücresinde yalnızca bir transistör bulunan NAND Flash belleğe göre ölçekleme yapmak daha zordur. Daha gelişmiş bir DRAM için ölçekleme yapabilmek adına Samsung tasarım ve üretim teknolojilerini gözden geçirdi ve çifte örüntüleme ve atomik katman biriktirme ile karşımıza çıktı.
Samsung’un değiştirilmiş çifte örüntüleme teknolojisi bir devrim niteliğinde çünkü mevcut fotolitografi ekipmanları kullanılarak 20 nm DDR3 üretimi yapılmasını sağlıyor ve yeni nesil 10 nm sınıfı DRAM’lerin üretimi için gereken çekirdek teknolojiyi oluşturuyor. Ayrıca Samsung hücre kapasitörleri için oldukça ince dielektrik katmanlar oluşturarak hücre performansını arttırıyor.
Yeni 20 nm DDR3 DRAM’ler ile Samsung, 25 nm DDR3 belleklere oranla %30 daha fazla üretim performansı sunuyor. Ayrıca 20 nm 4 gigabit DDR3 bellek modülleri, 25 nm’li modellere göre %25 daha fazla enerji tasarrufu sağlıyor. Çevre dostu bir endüstri için bu oldukça önemli.
Samsung, yeni nesil belleklerinin yakın zamanda endüstride yaygın olarak kullanılacağını düşünüyor. Ancak ürünlerin ne zaman piyasaya sunulacağı ve etiket fiyatına ilişkin bir bilgi paylaşılmadı.
