Akıllı telefon üreticilerinden Samsung, 2030 yılında en büyük yarı iletken üreticisi olmayı planlıyor. Akıllı telefonların haricinde işlemci, çipset, bellek, ekran ve kamera sensörü gibi birçok ürünü de kendi üreten Samsung 3 nm işlemci için çalışmalara başladı. Qualcomm’un atılımları ile mobil alanda 7 nm işlemciler yaygınlaşmıştı. Bir sonraki adımı ve süreci ise Samsung yönetmek istiyor.
Samsung 3 nm işlemci ile piyasayı ele geçirmeyi hedefliyor
Gelen haberlere göre, Samsung 3 nm işlemci prototipini başarılı bir şekilde üretti. 3nm işlemci, FinFet teknolojisinden farklı olarak GAAFET teknolojisi ile üretilecek. Teknolojideki bu değişiklik, toplam silikon boyutunu yüzde 35 azaltırken güç tüketimini de yüzde 50 düşürüyor. 3 nm GAAFET ile üretilen bir işlemci, 5 nm FinFet ile üretilen bir işlemciye kıyasla yüzde 33 daha fazla performans vaat ediyor.
GAAFET teknolojisi, FinFet teknolojisinin gelişmiş hali olarak adlandırılabilir. Temelde 3 kanal kullanan FinFet’in aksine, GAAFET toplamda 4 kanal kullanımı sunuyor. Bu işlem sayesinde işlemci düğümü küçülürken kanal üzerindeki kontrol de artmış oluyor. GAAFET ile birlikte çok daha küçük boyutta transistörler kullanılabiliyor. Bu sayede, 5 nm FinFet teknolojisine göre işlemci üzerindeki güç tüketimi azalıyor ve watt başına performans kazanımı önemli ölçüde artıyor.
Aslında Samsung, başlangıçta 4 nm GAAFET işlemci üretimi için yoğunlaşmak istiyordu ve tarih olarak da 2020 yılını göstermişti. Samuel Wang gibi endüstri gözlemcileri, GAAFET yongalarının 2022 yılından önce seri üretime girmesine şüpheyle bakıyordu. Ancak Samsung’un 3 nm işlemci prototipini üretmesi ile birlikte işler değişeceğe benziyor.
Samsung’un 3 nm GAAFET teknolojisine bu kadar hız vermesinin nedeni AMD olarak kabul ediliyor. Ryzen işlemciler ile birlikte pazarda önemli ölçüde yükselişe geçen AMD, GAAFET teknolojisini ilk olarak 3. nesil Ryzen işlemcilerinde kullandı. Temelde iki üreticinin hedef pazarı farklı olsa da, Samsung 3 nm işlemci üretimi için AMD’den ilham almış olabilir.
Hangi düğmeye bastı
fizik kuralları 7 nm altına inmeye izin vermiyor deniliyordu şimdi 3 nm altına iniliyor
silisyum tabanlı işlemciler 5nm izin vermiyor demekki başka yarı iletken kullanıyorlar
Bu kadar küçük alanda çalışmak için bildim kadarıyla özel yari iletken malzemeler ve gaz kullanıyorlar aksi taktirde elektron atamaları oluyor. Yarı iletken teknolojisinin sonu geliyor. Bio chip ve kuantum teknolojileri geliyor artık.
10 sene sonrasinda 10 yillik yalan. 2030 uhhhhhuuu..kum öle kim kala..milletin yarisindan fazla suriyeli lubnanli zenciler yurdumuzda yuksek makamli isgsl eder bizleride sumurge olarak kullanurlar
Boyle gidwse ??.!!!
Samsung hak ediyor çalışıyor kazanıyor her zaman ilkleri yapıyor yorum yapanlar siz daha iyisini yapında görelim. Adamlar başarılı hak ediyor tebrik etmek lazım samsung almak lazım
hiç kimse demedi ki 7 nm’nin altına fizik kuralları izin vermez.
o söylenilen şuydu, fizik kuralları 1 nm’nin altına inmeye izin vermeyebilir.
hayır bizim millet de biliyor ama yanlış biliyor ve bu yanlışından da o kadar emin ki.
AMD ve Samsung işbirliği her iki taraf için oldukça yararlı olacak
Hani 7nm nin altında atomlar atlama yapıyordu ey intel ?
Ahahaha Intel’in klasik yalanları. Intel ve NVIDIA böyledir. Kârdan zarar etmemek ve ar-ge yapmamak için uyduruyorlar. AMD olmasa biz halen tek çekirdek Pentium kullanıyorduk, yatın kalkın dua edin 🙂 Intel Core mimarisi geliştirilirken AMD’den lisansla alınan mimariden faydalandılar ama bunu da pek kimse bilmez.
AMD Ryzen 4000 masaüstü serisi Zen 3 mimarili 7NM EUV+ olacak. Sızıntılar doğruysa Ryzen 5000 Zen 4 mimarisi 5NM ve sonraki Zen 5 mimarisi 3NM olacak ki bu bilgisayar dünyasında devrim demek! PCI Express 5.0 ve DDR5 teknolojileri de gelecek tabi ki. Intel halen 14nm’de fırın gibi verimsiz işlemci üretmeye devam etsin 🙂