Samsung, dünyanın ilk 30 nm’lik DRAM’ini ürettiğini duyurdu. Şirketten alınan bilgilere göre, 30 nm teknolojisi DDR3 verimliliğini, 40 nm ile karşılaştırıldığında %60, 50 nm ile karşılaştırıldığında %100 artırıyor.
Geliştirilen yeni 30 nm’lik DRAM, 2 Gbit’lik bir DDR3 bellek yongasından oluşuyor.
Samsung Electronics Bellek Bölümü Başkanı Soo-In Cho, 30 nm süreci ile üretilen DDR3’lerin, mevcut en gelişmiş düşük güçlü DDR3’ler olduğunu ve en verimli DRAM çözümü olduğunu belirtti.
Bellek piyasasında Samsung’un en önemli rakiplerinden olan Hynix de geçtiğmiz Aralık ayında 40 nm’lik GDDR5 bellek üretmişti.
Samsung, dünyanın ilk 30 nm’lik DRAM’lerini üretti
Daha az güç tüketimi
Samsung’un yeni 30 nm’lik 2Gb DRAM’leri, 50 nm’lik DRAM’lere göre %30 daha az güç tüketimi yapıyor. Bu yeni bellekler masaüstü bilgisayarlardan, dizüstü bilgisaylara, sunuculardan, taşınabilir cihazlara kadar tüm cihazlarda kullanılabilecek.
30 nm’lik bu yongaların 2010’un ikinci yarısında seri üretime geçmesi bekleniyor. Şirket, 30 nm’lik NAND flash belleklerini geçtiğimiz günlerde piyasaya sürmüştü.
:: 30 nm’lik yeni bellekler taşınabilir cihazları nasıl etkiler?
