Samsung, HBM3E belleği tanıttı

Samsung, daha hızlı yapay zeka eğitimi ve çıkarımı için yüksek kapasiteli HBM3E belleğini tanıttı. Samsung HBM3E 12H DRAM olarak adlandırılan belleği, gelişmiş TC NCF teknolojisi ile birlikte geldi. Belleğin adındaki HBM, “yüksek bant genişliği belleği” anlamına geliyor. Peki diğer detayları neler?

Samsung HBM3E 12H DRAM belleği teknik özellikleri

Ekim ayında Samsung, pin başına 9.8Gbps (ve paket başına 1.2 terabayt) elde edebilen HBM’nin üçüncü neslinin geliştirilmiş bir versiyonu olan HBM3E Shinebolt’u tanıttı.

Belleğin ismindeki 12H, her bir modülde dikey olarak konumlandırılmış yongaların sayısını temsil ediyor. Samsung bu sayede 8H tasarımına kıyasla belleğin boyutunu %50 artırarak 36 GB’ya ulaştı. Ancak, bant genişliği 1.2 terabayt/saniye olarak kalır.

Gelelim TC NCF teknolojisine. Bu, dikey konumlandırılmış yongalarının arasına yerleştirilen malzemenin adı. Samsung, bunu daha ince hale getirmek için çalıştı ve boyutunu 7µm’ye kadar indirmeyi başardı.

TC NCF’nin ek bir faydası, soğutmayı iyileştirmeye yardımcı olan gelişmiş termal özelliklere sahip olması. Daha da iyisi, Samsung HBM3E 12H DRAM’da kullanılan yöntem, verimliliği de artırıyor.

Peki bu bellek ne için kullanılacak? Tabii ki de yapay zekâ için. Bildiğiniz gibi yapay zeka modelleri çok fazla RAM gerektiriyor. Geçen yıl Nvidia, yüksek bant genişliği belleği tedarikçileri listesine Samsung’u da ekledi.

Şimdi de şirket bunun için harekete geçmiş görünüyor. Siz HBM3E hakkında ne düşünüyorsunuz? Düşüncelerinizi yorumlar kısmından bizlerle paylaşmayı lütfen unutmayın.