RAM ve NAND depolamanın avantajlarını tek bir donanımda birleştirmek, bellek üreticilerinin yıllardır denedikleri bir şey. RAM benzeri hızları sunabilen ve kapatılsa bile NAND depolama gibi verileri saklayabilen depolama birimleri, bilgisayar dünyasının geleceği olarak nitelendiriliyor. Bu sayede bilgisayarınız anında açılıp, veri kaybına uğramadan kaldığınız yerden devam etmenize imkan sağlayabilir. Yeni geliştirilen kalıcı bellek prototipi ile bilgisayarlarda veri kaybı son bulabilir.
Akıllı telefon üreticilerinden Samsung, 2030 yılında en büyük yarı iletken üreticisi olmayı planlıyor. Piyasayı ele geçirmek isteyen Samsung 3 nm işlemci prototipi için çalışmalara başladı.
UK III-V bellek ile birlikte bilgisayarlarda veri kaybı tarihe karışabilir
Depolama ve bellek geliştirmeleri için birçok firma rekabet halinde. Bellek içi hesaplama yapmanın bir yolunu bulmaya odaklanan ve esasen bir cihazın işlemci, bellek ve depolama birimleri arasında ileri geri veri yazma ihtiyacını ortadan kaldıran birçok araştırma var.
Bir DRAM belleğe veri yazmak oldukça hızlıdır, ancak güç kesilir kesilmez bu veriler kaybolur. O zaman bu verileri sürekli olarak yenilemeniz gerekir, bu da çok verimli değildir. NAND depolama birimleri ise verileri saklamak için etkili bir yoldur. Ancak okuma ve yazma hızları DRAM belleklere göre oldukça yavaştır. Ayrıca çok fazla yazma ve silme işlemi sonrası hücrelerde bozulma meydana gelebilir.
Birleşik Krallık’taki Lancaster Üniversitesi‘nde bulunan araştırmacılar, DRAM hızlarında çalışan yeni bir tür depolama birimi oluşturduklarını duyurdu. Bu yeni depolama biriminin, veri yazarken ikinci işlemin ihtiyaç duyduğu enerjinin sadece yüzde birini kullandığı da belirtildi. Bu sayede enerji verimliliği de üst seviyeye taşınmış oldu.
UK III-V bellek, henüz prototip aşamasında bir ürün. 20 nm üretim sürecinden geçen bellek, 5 ns yazma süreleri ve flash benzeri okuma basitliği sunuyor. Bu işlemler yapılırken bellek volatilite yaşamıyor. Yani güç kesilse bile veri kaybı hiçbir şekilde yaşanmıyor. Yazma sırasında prototipin 2.1 V enerji kullanarak verileri silebildiği ve yazabildiği söylenirken, tipik NAND hücreleri 3 V kullanarak bu işlemleri yapabiliyor.
